详细参数
型号:SI4480DY-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix
RoHS:

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:剪切带 (CT)
说明:MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
标准包装:1
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:剪切带 (CT)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC N
产品目录页面:1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名称:SI4480DY-T1-E3CT
SI4480DYT1E3