详细参数
型号：SI4480DY-T1-E3
制造商：Vishay Siliconix
RoHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：剪切带 (CT)
说明：MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
标准包装：1
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N
产品目录页面：1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：SI4480DY-T1-E3CT
SI4480DYT1E3
制造商：Vishay Siliconix
RoHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求封装：剪切带 (CT)
说明：MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
标准包装：1
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N
产品目录页面：1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：SI4480DY-T1-E3CT
SI4480DYT1E3